- Zasilanie: VDD = 1,2 V
- VDDQ = 1,2 V
- VPP = 2,5 V
- VDDSPD = 2,41 V do 2,75 V
- Funkcjonalność i działanie są zgodne z arkuszem danych DDR4 SDRAM
- 16 banków wewnętrznych
- Stosowane jest grupowanie banków i opóźnienie CAS do CAS (tCCD_L, tCCD_S) są dostępne dla banków w tej samej lub różnych grupach banków
- Szybkość transmisji danych: PC4-3200, PC4-2933, PC4-2666, PC4-2400, PC4-2133, PC4-1866, PC4-1600
- Dwukierunkowy różnicowy stroboskop danych
- 8-bitowe pobieranie z wyprzedzeniem
- Przełącznik Burst Length (BL) w locie BL8 lub BC4 (Burst Chop)
- Obsługuje korekcję i wykrywanie błędów ECC
- Terminacja na bieżąco (ODT)
- Czujnik temperatury ze zintegrowanym SPD
- Ten produkt jest zgodny z dyrektywą RoHS.
- Obsługiwana jest adresowalność na DRAM
- Dostępne jest wewnętrzne generowanie poziomów Vref DQ
- Zapis CRC jest obsługiwany we wszystkich klasach szybkości
- Obsługiwany jest tryb parzystości CA (parzystość poleceń/adresów).
| Informacje o produkcie |
| Rodzaj pamięci |
DDR4 |
| Całkowita pojemność pamięci |
64 GB |
| Częstotliwość szyny pamięci |
3200 MHz |
| Liczba pamięci w zestawie |
1 |
| CAS Latency |
CL22 |
| Obsługa ECC |
Tak |
| Pozostałe parametry |
- Temperatura pracy: 0 stopni C do +85 stopni C
- Temperatura przechowywania: -55 stopni C do 100 stopni C
|
| Oznaczenia |
 |
Parametry:
Typ gwarancji:
Gwarancja wieczysta
Częstotliwość szyny pamięci:
3200 MHz
Liczba pamięci w zestawie:
1
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
